По технологии на тему: «Полупроводниковый диод»
МБОУ «ООШ №16»
г. Гусь-Хрустальный.
План - конспект урока
по технологии
на тему: «Полупроводниковый диод»
Учитель технологии
План-конспект урока
Тема урока: «Полупроводниковый диод»
Цели урока:
1. Обучающие:
1.1. Ознакомить учащихся:
С устройством полупроводникового диода;
С технологией изготовления полупроводникового диода;
С принципами работы полупроводникового диода;
С применением полупроводникового диода на практике, в быту, в производстве;
Со схемой выпрямления переменного тока.
2. Развивающие:
2.1. Способствовать развитию познавательного интереса к предмету.
2.2. Способствовать овладению основными способами мыслительной деятельности.
3. Воспитательные:
3.1. Способствовать формированию трудовых качеств личности.
Методическое оснащение урока.
1. Материально-техническая база:
Компьютерный класс;
Мультимедиа-проектор;
Набор полупроводниковых диодов;
Электрическая батарейка, лампочка, соединительные провода.
2. Дидактическое обеспечение:
- «Радиоэлектроника, автоматика и элементы ЭВМ», М., «Просвещение», 1990;
- «Методика трудового обучения», М., «Просвещение», 1997;
- «Школа и производство» № 1, 2005;
- «Практикум по радиотехнике», М., «Просвещение»,1996;
Тест «Полупроводниковый диод».
Ход урока
1. Организационный момент.
2. Повторение пройденного материала по теме «Полупроводники».
Чтобы проверить пройденный материал и подготовить учащихся к усвоению нового материала, целесообразно задать им следующие вопросы:
1. Какие элементы относятся к полупроводникам?
2. Как происходит собственная проводимость?
3. Как происходит примесная проводимость?
4. За счет чего появляются свободные электроны?
5. Где больше проводимость в металлах или в полупроводниках?
6. Какие полупроводники являются основными?
3. Изложение нового материала о полупроводниковом диоде и схеме выпрямления переменного тока.
Полупроводниковый диод – это устройство, которое пропускает электрический ток только в одном направлении.
Устройство диода: берут кристалл кремния, обладающий проводимостью n-типа. В одну из поверхностей образца вплавляют индий. Вследствие атомов индия вглубь монокристалла германия у поверхности германия образуется область с проводимостью p-типа. Остальная часть образца германия, в которую атомы индия не проникли, по-прежнему имеет проводимость n-типа.
Между двумя областями с проводимостями разных типов возникает p-n-переход (демонстрация слайда № 1).
Получить p-n-переход не удается путем механического соединения двух полупроводников с различными типами проводимости, так как при этом получается слишком большой зазор. Толщина p-n-перехода должна быть не более межатомных расстояний. Для предотвращения вредных воздействий кристалл помещают в герметичный металлический корпус.
На электрических схемах полупроводниковый диод обозначается (демонстрация слайда № 2).
Современные полупроводниковые диоды имеют вид: (демонстрация слайда № 3).
(После этого учитель демонстрирует образцы полупроводниковых диодов).
Любой полупроводниковый диод характеризуется прямым максимальным током Iпр. маx. и обратным максимальным напряжением Uобр. max..Если ток через диод будет больше максимального тока, то p-n-переход выйдет из строя (расплавится). Если обратное напряжение будет больше максимального напряжения, которое может выдержать диод, то p-n-переход пробьется электрическим зарядом. В обоих случаях полупроводниковый диод выйдет из строя.
Подключение диода к постоянной электрической цепи.
Подключим полупроводниковый диод к источнику питания таким образом (демонстрация слайда № 4).
При таком подключении электрический ток через диод и нагрузку проходить не будет, так как нет носителей заряда через p-n-переход. Его сопротивление в этом случае будет очень большим. Говорят, что диод находится в запирающем состоянии.
Поменяем полярность источника питания. При таком подключении электрический ток проходит через диод и через нагрузку.
Говорят, что диод находится в открытом состоянии (демонстрация слайда № 5).
Схема выпрямления электрического тока.
Постоянный электрический ток можно получить при включении диода в цепь с переменным напряжением (демонстрация слайда № 6).
Рассмотрим на графике, как происходит выпрямление переменного тока (демонстрация слайда № 7).
Такое выпрямление переменного тока называется однополупериодным выпрямлением. Ток в этом случае называется пульсирующим.
Данное выпрямление переменного тока имеет широкое применение, например: если диод Д226Б включить по данной схеме, а вместо нагрузки взять лампочку мощностью 100 Вт, то такая лампочка будет гореть 7-10 лет. Схему называют схемой «вечной лампочки».
4. Закрепление нового учебного материала.
Учащиеся зарисовывают в тетрадях схему выпрямления (демонстрация слайда № 8). Далее учащимся предлагается на компьютерах в программе Elektronish Workbench составить такую схему как на слайде и получить на дисплее осциллографа выпрямленное напряжение. Чтобы сгладить пульсации выпрямленного тока к нагрузке Rn можно подключить параллельно конденсатор и рассмотреть полученное выпрямленное напряжение. Сравнить результаты.
(Учащимся может быть предложен тест «Полупроводниковый диод»).
5. Заключительная часть.
Учитель подводит итоги урока, называет главные вопросы, которые учащиеся должны хорошо знать:
Определение диода;
Устройство диода;
Подключение диода к постоянной электрической цепи;
Подключение диода к переменной электрической цепи;
Схему «вечной лампочки».
Учитель объявляет оценки за устные ответы и самостоятельную работу на компьютере.
Тема урока: "Полупроводниковые приборы. Диоды"
Цель и задачи занятия:
Образовательные:
формирование первоначального понятия о назначении, действии и основном свойстве полупроводниковых диодов.
Воспитательные:
сформировать культуру умственного труда, развитие качеств личности - настойчивость, целеустремленность, творческую активность, самостоятельность.
Развивающие:
обучение применению свойства односторонней проводимости.
Материально техническое оснащение урока:
рабочие тетради, компьютер преподавателя, интерактивная доска, прзентация на тему
Ход занятия:
1. Организационный момент:
(Задача: создание благоприятного психологического настроя и активация внимания).
2. Подготовка к повторению и обобщению пройденного материала
Что такое электрический ток.
Сила тока, единицы измерения.
p – n переход.
Полупроводники.
Сообщение темы и цели занятия.
Полупроводники. Диоды.
Объяснение перспективы.
Чтобы изучить современную электронику, надо, прежде всего, знать принципы устройства и физические основы работы полупроводниковых приборов, их характеристики и параметры, а также важнейшие свойства, определяющие возможность их применения в электронной аппаратуре.
Использование полупроводниковых приборов дает огромную экономию в расходовании электрической энергии источников питания и позволяет во много раз уменьшить размеры и массу аппаратуры. Минимальная мощность для питания электронной лампы составляет 0,1 Вт, а для транзистора она может быть 1мкВт, т.е. в 100000 раз меньше.
3. Основной этап.
Новый материал
Все вещества, встречающиеся в природе, по своим электропроводным свойствам делятся на три группы:
Проводники,
изоляторы (диэлектрики),
полупроводники
К полупроводникам относится гораздо больше веществ, чем к проводникам и изоляторам. В изготовлении радиоприборов наибольшее распространение получили 4-х валентные германий Ge и кремний Si.
Электрический ток полупроводников обуславливается движением свободных электронов и так называемых "дырок".
Свободные электроны, покинувшие свои атомы, создают n- проводимость (n - первая буква латинского слова negativus - отрицательный). Дырки создают в полупроводнике р - проводимость (р - первая буква латинского слова positivus- положительный).
В чистом проводнике число свободных электронов и дырок одинаково.
Добавляя примеси, можно получить полупроводник с преобладанием электронной или дырочной проводимостью.
Важнейшее свойство р- и n- полупроводников - односторонняяя проводимость в месте спайки. Эта спайка называется p-n переходом.
В 4-х валентный кристалл германия (кремния) добавить 5-ти валентный мышьяк (сурьму) то получим n - проводник.
При добавлении 3-х валентного индия, получим р - проводник.
Когда "плюс" источника соединен с р- областью, говорят что переход включен в прямом направлении, а когда минус источника тока соединен с р- областью, переход включен в обратном направлении.
Одностороння проводимость р и n перехода является основой действия полупроводниковых диодов, транзисторов и др.
Имея представление о полупроводнике, теперь приступим к изучению диода.
Приставка "ди" - означает два, указывающая на две примыкающие зоны разной проводимости.
Вентиль велосипедной шины (нипель). Воздух через него может проходить лишь в одном направлении - внутрь камеры. Но существует и электрический вентиль. Это диод - полупроводниковая деталь с двумя проволочными выводами с обоих концов.
По конструкции полупроводниковые диоды могут быть плоскостными или точечными.
Плоскостные диоды имеют большую площадь электронно- дырочного перехода и применяются в цепях, в которых протекают большие токи.
Точечные диоды отличаются малой площадью электронно-дырочного перехода и применяются в цепях с малыми токами.
Условно-графическое обозначение диода. Треугольник соответствует р- области и называется анодом, а прямолинейный отрезок, называется катодом, представляет n- область.
В зависимости от назначения диода его УГО может иметь дополнительные символы.
Основные параметры, по которым характеризуются диоды.
Прямой ток диода.
Обратный ток диода.
Закрепление материала.
Изменение полярности подключения источника питания в цепи, содержащей полупроводниковый диод.
Соединяем последовательно батарею 3336Л и лампочку накаливания МН3,5 – 0.28 (на напряжение 3.5В и ток накала 0.28А) и подключаем эту цепь к сплавному диоду из серии Д7 или Д226 так, чтобы на анод диода непосредственно или через лампочку подавалось положительное, а на катод – отрицательное напряжение батареи (рис 3, рис.4). Лампочка должна гореть полным накалом. Затем изменяем полярность подключения цепи “батарея – лампочка” на обратную (рис. 3, рис.4). Если диод исправный – лампочка не горит. В этом опыте лампочка накаливания выполняет двойную функцию: служит индикатором тока в цепи и ограничивает ток в этой цепи до 0.28А, тем самым защищая диод от перегрузки. Последовательно с батареей и лампочкой накаливания можно включить еще миллиамперметр на ток 300…500мА, который бы фиксировал прямой и обратный ток через диод.
4.Контрольный момент:
Начертите схему электрической цепи, состоящей из источника постоянного тока, микродвигателя, 2-х диодов, так, чтобы с помощью выключателей изменять направление вращение ротора микродвигателя.
Определите полюса батареи для карманного фонаря с помощью полупроводникового диода.
Самостоятельно изучите проводимость диода на демонстрационном стенде. Изучение односторонней проводимости диода.
5.Итоговый момент:
оценка успешности в достижении задач занятия (как работали, что узнали или усвоили)
6. Рефлективный момент:
определение результативности и полезности занятия через самооценку воспитанников.
7. Информационный момент:
определение перспектив следующего занятия .
8. Домашнее задание
Для закрепления пройденного материала, подумайте над следующими задачами и приведите их решение:
Как с использованием полупроводникового диода защитить радиоаппаратуру от переполюсовки?
Имеется электрическая цепь, в которую входят четыре последовательно соединенных элемента – две лампочки а и б и два выключателя А и Б. При этом каждый выключатель зажигает только одну, только “свою” лампочку. Для того, чтобы зажечь обе лампочки, нужно одновременно замкнуть оба выключателя.
ПЛАН-КОНСПЕКТ УРОКА
Раздел 2 Тема 2.5 Полупроводниковые приборы
(Тема урока)
ФИО (полностью)
Дилигенская Юлия Владимировна
Место работы
БПОУ ВО «Череповецкий лесомеханический техникум им. В.П. Чкалова»
Должность
Преподаватель
Профессиональный модуль ПМ 01. Организация технического обслуживания и ремонта электрического и электромеханического оборудования
МДК 01.05 Типовые электрические схемы и функциональные узлы электронных и вычислительных устройств
ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ
Литература
Основная
1.Тугов Н. М. , Глебов Б.А., Чарыков Н.А.Полупроводниковые приборы- М.: Издательский центр «Академия,» 2004.-240 с
2.Миклашевский С.П., Промышленные элементы электронных схем. М: Высшая школа, 2006- 214 с.
Справочная
1.Диоды, транзисторы, оптоэлектронные приборы: Справочник , М.: Издательский центр «Академия,» 2005
2. Дидактический материал по общей электротехнике с основами электроники, Учебное пособие- М: Высшая школа. 2006 – 108 с
5.Цель урока:
Ознакомить обучающихся с разновидностями полупроводниковых приборов;
Дать представление о функциональном назначении каждого прибора;
Показать практическое значение полупроводниковых приборов в специальности.
6. Задачи:
- обучающие
помочь студентам изучить классификацию полупроводниковых приборов;.
-развивающие
развивать познавательный интерес студентов.
-воспитательные
воспитать информационную культуру студентов.
7.Тип урока – усвоения новых знаний
8.Формы работы учащихся – индивидуальная и групповая.
9.Необходимое техническое оборудование – мультимедийный компьютер преподавателя, видеопроектор,
Структура и ход урока
Таблица 1.
ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ КАРТА УРОКА
Этап урока
Название используемых ЭОР
(с указанием порядкового номера из Таблицы 2)
Деятельность преподавателя
Деятельность студента
Время
(в мин.)
Организационно-мотивационный
1. Схема устройства компьютера
Приветствует студентов. Проверяет подготовку учащихся к уроку и выполнение домашнего задания.
Формулирует тему урока и раскрывает цели урока.
Задает вопросы, мотивирующие учащихся на изучение новой темы:
Какие виды электронных схем вы знаете?
Какие типы полупроводниковых приборов вам известны?
Перечислите характеристики полупроводниковых материалов?
Обобщает ответы студентов, переходя к основной части урока.
Приветствуют преподавателя демонстрируют домашнюю работу в тетрадях.
Слушают и осмысливаю цели занятия, записывают дату и тему урока в тетрадях
Отвечают на поставленные вопросы.
Анализируют представленную на слайде информацию.
Основная часть:
Этап передачи новых знаний
2. Основные устройства полупроводниковых приборов
3. Характеристики диодов
4.Характеристики транзисторов
5. Характеристики микросхем
Лекция. (Демонстрация интерактивной презентации)
Обращает внимание на различие назначения и характеристик полупроводниковых приборов, используя видеофрагмент.
Указывает на конструкцию полупроводниковых приборов, выведя на экран схему, отражающую основные функциональные компоненты. полупроводниковых приборов
Рассказывает о каждом
полупроводниковом приборе
1) Диоды
Обращает внимание на то, что в основе свойств полупроводниковых материалов лежат общие принципы работы приборов
2) Транзисторы.
3)Микросхемы.
Слушают объяснение нового материала, делают записи в тетрадях.
Осмысливают новую информацию.
Изучают представленную схему, задают вопросы.
Чертят схемы в тетрадях.
Обсуждают, представленную на слайде информацию, демонстрируют свои знания из дисциплины « Физика» по характеристикам полупроводниковых приборов
Этап усвоения новых знаний
7 .Применение полупроводниковых приборов в специальности
Предлагает самостоятельно изучить понятие и назначение:
4) Полевые транзисторы в коммутационной аппаратуре.
Работа с учебником, выполнение записей в тетрадях. После изучения данного материала уясняют не понятные моменты.
Закрепления нового материала
Группа разбивается на бригады. Преподаватель каждой бригаде раздает карточки с ключевыми словами, которые надо дополнить терминами, по теме урока
Проверяет правильность выполнения задания
Каждая бригада работает над заданием, стараясь справиться с ним первой.
Подведения итогов урока
Оценивает деятельность студентов. Подводит общий итог урока.
Задает домашнее задание.
Благодарит студентов за урок.
Слушают и осмысливают итоги урока. Записывают домашнее задание в дневниках. Выражают отношение к уроку.
Урок физики 11 класс
Тема урока:
«Полупроводники.
Собственная и примесная проводимость полупроводников. Электрический ток в полупроводниках»
Цель урока
- Сформировать у учащихся понятие о природе электрического тока в полупроводниках, о способах измерения их свойств под действием температуры, освещённости, примесей.
- Способствовать расширению политехнического кругозора, мотивировать к изучению предмета, совершенствовать способность к восприятию и анализу технической, научной информации.
- Развитие коммуникативных компетенций учащихся, их умения работать в коллективе.
Материалы и оборудование:
Компьютер, проектор, электронные материалы по теме: «Полупроводники»; карточки – задания для самостоятельной работы в малых группах; набор полупроводниковых приборов НПП – 2; демонстрационный гальванометр; источник постоянного тока (4В); демонстрационный выключатель; электрическая лампа 60-100Вт на подставке; электрический паяльник; соединительные провода.
План проведения урока:
- Повторение изученного и актуализация темы урока.
- Объяснение материала темы.
- Самостоятельная работа учащихся в группах.
- Подведение итогов, задание на дом.
- Повторение изученного и актуализация темы урока (6мин).
Надо вспомнить:
- Что такое электрический ток?
- Что принимают за направление тока?
- Движением каких частиц образован электрический ток в металлических проводниках?
- Почему в диэлектриках не может возникать электрический ток?
- Как вы думаете: существует ли в природе вещества, которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение?
Да это полупроводники. Ещё чуть более полувека назад они не имели заметного практического значения. В электротехнике и радиотехнике обходились исключительно проводниками и диэлектриками. Но положение резко изменилось, когда теоретически, а затем и практически была открыта возможность управлять электрической проводимостью полупроводников.
В чём же главное отличие полупроводников от проводников и какие особенности их строения позволили широко использовать полупроводниковые приборы практически во всех электронных устройствах, позволив значительно повысить их надёжность, многократно сократить габариты, да и создать новые, о которых приходилось только мечтать: создать сотовые телефоны, миниатюрные компьютеры и т.д.?
- Объяснение материалов темы (15мин)
- Определение полупроводников
Большой класс веществ, удельное сопротивление которых больше, чем у проводников, но меньше, чем у диэлектриков и с увеличением температуры очень резко уменьшается.
К ним относятся элементы таблицы Менделеева: германий, кремний, селен, теллур, индий, мышьяк, фосфор, бор, и т.д. некоторые соединения: сернистый свиней, сернистый кадмий, закись меди и т.д.
- Строение полупроводников.
- Атомная структура кристаллической решётки кремния (проекция на экране);
- Нарушение парноэлектронных связей под воздействием внешних факторов: повышение температуры, освещённости.
Демонстрации зависимости электропроводности полупроводников:
Rт 10к ФС – К1
- Электронная проводимость чистого полупроводника (проекция)
- Дырочная проводимость (проекция)
Есть необходимость подчеркнуть, что дырки не являются реальными частицами. В обоих видах проводимости полупроводников движутся только валентные электроны. Проводимость отличается друг от друга лишь механизмом движения электронов. Электронная проводимость обусловлена направлением движения свободных электронов, а дырочная вызвана движением связанных электронов, переходящих от атома к атому, поочерёдно замещая друг друга в связках, что эквивалентно движению дырок в противоположном направлении.
Таким образом, в полупроводниках два типа носителей – электроны и дырки, концентрации которых в чистых полупроводниках одинаковы – собственная проводимость, она невелика.
- Примесная проводимость (проекция)
Существенно зависит проводимость полупроводников от наличия в их кристаллах примесей:
- донорные примеси – пятивалентные элементы, легко отдающие электроны (As, P) обеспечивают количественное преимущество электронов над дырками, создающие проводимость n – типа;
- акцепторные примеси – трёхвалентные элементы (In, B), принимающие свободные электроны, образуя дырки. Создаётся проводимость p – типа.
Демонстрация примесей и проводимости n – типа и p – типа:
n – тип p – тип
Особый интерес представляет протекание тока не отдельно в полупроводниках n – типа или p – типа, а через контакт двух полупроводников с разными типами проводимости.
- Самостоятельная работа учащихся в группах (20мин)
Предлагается на добровольной основе сформировать группы из 4 учеников (это надо сделать до начала урока, чтобы избежать хаотичных перемещений по кабинету и потере времени).
Каждой группе выдаётся задание, которое надлежит выполнить. Оно содержит вопросы, качественные задачи разного уровня, рассчитанные как на письменные, так и устные ответы.
- Подведение итогов
Заслушиваем ответы представителей групп на основные вопросы данной темы, исправляем возможные ошибки. Собираем письменные отчёты. Оценки за работу выставляем после изучения второй части темы и выполнения заданий на повторение с учётом КТУ каждого учащегося в группе.
Задание на дом: § 113; §114 учебника.
Полупроводники
Полупроводники – большой класс веществ, удельное сопротивление которых изменяется в широких пределах от 10 -5 до 10 10 Ом∙м .
Полупроводники обладают промежуточными свойствами между металлами и диэлектриками. Характерным для полупроводников является не величина удельного сопротивления, а то, что она под воздействием внешних условий изменяется в широких пределах.
К полупроводникам относятся :
а) элементы III, IV, V и VI групп периодической системы элементов, например Si , Ge , As , Se , Te ;
б) сплавы некоторых металлов;
в) оксиды (окислы металлов);
г) сульфиды (сернистые соединения);
д) селениды (соединения с селеном).
Сопротивление полупроводников зависит от:
а) температуры;
б) освещённости;
в) наличия примесей.
Электрическое сопротивление полупроводников уменьшается и при освещении их светом.
1. Собственная проводимость полупроводников.
Собственная проводимость – электрическая проводимость химически чистого полупроводника.
В типичном полупроводнике (кристалле кремния Si
) атомы объединены ковалентной (атомной) связью
. При комнатной температуре средняя энергия теплового движения атомов в кристалле полупроводника составляет 0,04 эВ
. Это значительно меньше энергии, необходимой для отрыва валентного электрона, например, от атома кремния (1,1 эВ
). Однако вследствие неравномерности распределения энергии теплового движения или при внешних воздействиях некоторые атомы кремния ионизируются. Образуются свободные
электроны
и вакантные места в ковалентной связи – так называемые дырки
. Под воздействием внешнего электрического поля возникает упорядоченное движение свободных электронов и упорядоченное движение в противоположном направлении такого же количества дырок.
Электронная проводимость или проводимость n -типа (от лат. negative – отрицательный) – проводимость полупроводников, обусловленная электронами.
Дырочная проводимость или проводимость p -типа (от лат. positive – положительный) – проводимость полупроводников, обусловленная дырками.
Таким образом, собственная проводимость полупроводника обусловлена одновременно двумя типами проводимости – электронной и дырочной .
2. Примесная проводимость полупроводников.
Примесная проводимость – электрическая проводимость полупроводников, обусловленная наличием примесей (примеси – атомы посторонних элементов).
Наличие в полупроводнике примеси существенно изменяет его проводимость. Например, при введении в кремний примерно 0,001 ат.% бора его проводимость увеличивается примерно в 10 6 раз.
В основном, атомы примеси имеют валентность, отличающуюся на единицу от валентности основных атомов.
Донорные примеси – примеси с большей валентностью, сообщающие полупроводнику электронную проводимость .
Полупроводник (кремний) + донор (мышьяк) = полупроводник n -типа.
Акцепторные примеси – примеси с меньшей валентностью, сообщающие полупроводнику дырочную проводимость .
Полупроводник (кремний) + акцептор (индий) = полупроводник р -типа.
3. Полупроводниковые диоды и триоды. Их применение.
Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на использовании свойств p - n -перехода.
Электронно-дырочный переход
(или p
-
n
–переход
) – граница соприкосновения двух полупроводников с различными типами проводимости.
Через границу раздела происходит диффузия электронов и дырок, которые встречаясь рекомбинируют.
На границе раздела в электронном полупроводнике остаются положительные ионы донорной примеси, а в дырочном образуются отрицательные ионы акцепторов. Образуется так называемый запирающий слой
(двойной электрический слой), напряжённость которого Е
зап
направлена от электронного полупроводника к дырочному. Через этот двойной слой могут прорваться из n
-полупроводника в p
-полупроводник только такие электроны, которые обладают для этого достаточно большими энергиями. Внешнее электрическое поле, приложенное к двум разнородным полупроводникам, в зависимости от своего направления может и ослаблять поле запирающего слоя.
Запирающий слой обладает односторонней проводимостью
: запирающий слой пропускает ток в направлении, противоположном полю запирающего слоя, и не пропускает ток в направлении, совпадающем с полем запирающего слоя.
Полупроводниковый диод – прибор с одним p - n -переходом.
Вольт-амперная характеристика – зависимость силы тока I от напряжения U , приложенного к диоду.
Полупроводниковый триод (или транзистор) – прибор с двумя p - n -переходами.
Транзисторы (как и ламповые триоды) служат для усиления слабых электрических сигналов.
Контрольные вопросы
1. Какие вещества называются полупроводниками?
2. Чем отличаются полупроводники от проводников и диэлектриков?
3. От чего зависит электропроводность полупроводников?
4. Какие свойства полупроводников используются в термо- и фоторезисторах?
5. Каков механизм собственной проводимости полупроводников?
6. Как образуются свободные электроны и дырки?
7. Каков механизм примесной проводимости полупроводников?
8. Какие примеси называются донорными, а какие – акцепторными?
9. Как объяснить одностороннюю проводимость p - n -перехода?
10. Какова вольт-амперная характеристика p - n -перехода? Объясните возникновение прямого и обратного тока.
11. Какое направление в полупроводниковом диоде является пропускным для тока?
12. Что такое полупроводниковый триод (или транзистор)?